Ширина модального окна задана в процентах, в зависимости от ширины родительского контейнера, в данном примере это фон затемнения.
Предусмотрена возможность использования встроенных миниатюр, разположенных слева или справа, в отдельном div-контейнере с выделенным классом .pl-left и .pl-right соответственно.
Размер блока миниатюр так же определил в процентной записи (25%), тем самым обеспечив возможность пропорционального изменения, при просмотре на экранах различных пользовательских устройств.
Простейшая анимация появления с помощью изменения свойсва прозрачности (opacity) от 0 к 1
Тестер полупроводниковых элементов
Рассказать в:
Тестер полупроводниковых элементов В этой статье представлено устройство - тестер полупроводниковых элементов. Прототипом этого устройства послужила статья размещенная на одном из немецких сайтов. Тестер с высокой точностью определяет номера и типы выводов транзистора, тиристора, диода и др. Будет очень полезен как начинающему так и опытному радиолюбителю.
Типы тестируемых элементов
(имя элемента - индикация на дисплее): - NPN транзисторы - на дисплее "NPN" - PNP транзисторы - на дисплее "PNP" - N-канальные-обогащенные MOSFET - на дисплее "N-E-MOS" - P-канальные-обогащенные MOSFET - на дисплее "P-E-MOS" - N-канальные-обедненные MOSFET - на дисплее "N-D-MOS" - P-канальные-обедненные MOSFET - на дисплее "P-D-MOS" - N-канальные JFET - на дисплее "N-JFET" - P-канальные JFET - на дисплее "P-JFET" - Тиристоры - на дисплее "Tyrystor" - Симисторы - на дисплее "Triak" - Диоды - на дисплее "Diode" - Двухкатодные сборки диодов - на дисплее "Double diode CK" - Двуханодные сборки диодов - на дисплее "Double diode CA" - Два последовательно соединенных диода - на дисплее "2 diode series" - Диоды симметричные - на дисплее "Diode symmetric" - Резисторы - диапазон от 0,5 К до 500К [K] - Конденсаторы - диапазон от 0,2nF до 1000uF [nF, uF] При измерении сопротивления или емкости устройство не дает высокой точности Описание дополнительных параметров измерения: - H21e (коэффициент усиления по току) - диапазон до 10000 - (1-2-3) - порядок подключенных выводов элемента - Наличие элементов защиты - диода - "Символ диода" - Прямое напряжение – Uf [mV] - Напряжение открытия (для MOSFET) - Vt [mV] - Емкость затвора (для MOSFET) - C= [nF] Схема устройства
Программирование микроконтроллера
Если вы используйте программу AVRStudio достаточно в настройках fuse-битов записать 2 конфигурационных бита: lfuse = 0xc1 и hfuse = 0xd9. Если Вы используйте другие программы настройте fuse-биты в соответствие с рисунком. В архиве находятся прошивка микроконтроллера и прошивка EEPROM, а также макет печатной платы. Fuse-биты mega8 Процесс измерения достаточно прост: подключите тестируемый элемент к разъему (1,2,3) и нажмите кнопку "Тест". Тестер покажет измеренные показания и через 10 сек. перейдет в режим ожидания, это сделано для экономии заряда батареи. Батарея используется напряжением 9V типа "Крона". Тестирование симистора Тестирование диода Тестирование светодиода Тестирование MOSFET Тестирование транзистора NPN Вариант печатной платы
Вариант печатки в .lay а так-же прошивки для повторения данного устройства ВЫ можете найти вразделе "Download\Прошивки, печатки, документация" под одноименным названием или по одной из ниже прведенных ссылок.